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一种实现短波长紫外LED的外延结构
成熟度: 正在研发
应用行业: 其他
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垂直型肖特基二极管及其制作方法
成熟度: -
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一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构
成熟度: -
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通过元素共掺杂提高半导体PbTe及β-Zn4Sb3热电功率因子的计算研究
成熟度: -
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镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法
成熟度: 正在研发
应用行业: 新材料
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一种锡掺杂n型氧化镓制备方法
成熟度: 正在研发
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离子共掺杂锐钛矿相二氧化钛微观结构和机理研究
成熟度: -
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基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法
成熟度: 正在研发
应用行业: 电子信息
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一种稀土共掺杂晶态发光材料的制备及其在杂化太阳电池中的应用
成熟度: 正在研发
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一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度: 正在研发
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成熟度: 正在研发
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生长在W衬底上的LED外延片
成熟度: 正在研发
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多层结构Ga2O3深紫外透明导电膜研究
成熟度: -
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聚合物热电材料
成熟度: -
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有机前驱体法制备石英纤维负载可见光敏化二氧化钛光催化剂
成熟度: -
应用行业: 新型催化剂制备及应用技术
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非合金欧姆接触的GaNHEMT器件
成熟度: -
应用行业: 半导体新材料制备与应用技术
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓(GaN)晶片
成熟度: 可规模生产
应用行业: 新材料
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度: 正在研发
应用行业: 电子信息
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反转叠层有机发光二极管
专利号: 2011104402293
专利类型: 发明
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瞬态电压抑制器及其制作方法
专利号: 2017105646822
专利类型: 发明
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一种H-3碳化硅同位素电池及其制造方法
专利号: CN110491541B
专利类型: 发明
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氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法
专利号: CN109881248B
专利类型: 发明
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空间调制结构的光电探测器及其制备方法
专利号: 201410033300X
专利类型: 发明
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一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法
专利号: CN108807553B
专利类型: 发明
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一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件
专利号: CN104952868B
专利类型: 发明
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一种n型AlGaN半导体材料及其外延制备方法
专利号: CN110611003A
专利类型: 发明
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一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池
专利号: CN110335904B
专利类型: 发明
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一种电流放大器及单光子探测器
专利号: CN213366613U
专利类型: 实用新型
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含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池
专利号: CN104201220A
专利类型: 发明
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,氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构,
专利号: CN102969418A
专利类型: 发明
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InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
专利号: CN104393088A
专利类型: 发明
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一种节能环保的有机发光元件
专利号: CN105470404A
专利类型: 发明
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一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极FRD及制造方法
专利号: CN109192787B
专利类型: 发明
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一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器
专利号: CN208062085U
专利类型: 实用新型
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一种H-3碳化硅同位素电池及其制造方法
专利号: CN110491541A
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一种绝缘栅型光电导开关
专利号: CN105826406B
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全半导体中红外可调频吸收器
专利号: CN106019432A
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常关型场效应晶体管及其制备方法
专利号: CN111276541A
专利类型: 发明
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一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器
专利号: 2018202712108
专利类型: 实用新型
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一种PIN二极管器件结构
专利号: CN209626231U
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一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器
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一种具有弧形增透作用的光电探测器结构
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一种具有阶梯N型重掺杂埋层的半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
专利号: CN110021655A
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具有电子能量调节层的发光二极管外延结构
专利号: CN105895765B
专利类型: 发明
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,含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池,
专利号: CN103094378A
专利类型: 发明
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快恢复Pin二极管及其制作方法
专利号: 2017113143736
专利类型: 发明
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一种节能环保的有机发光元件
专利号: CN105470404B
专利类型: 发明
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一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法
专利号: CN107863413B
专利类型: 发明