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专利基本信息
专利名称 红外探测器光陷阱结构的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN109802004B
专利申请日期 2017-11-17 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201711153124.3 申请公布日 2017-11-17
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 郭春妍,魏思航,蒋洞微,王国伟,徐应强,汪韬,牛智川
专利权人 中国科学院半导体研究所
专利摘要 本发明公开了一种红外探测器光陷阱结构的制备方法,通过干湿法刻蚀与腐蚀工艺结合,实现电子束曝光胶层、金属掩膜以及SiO_2掩膜等多层掩膜之间的图形相互转移,最终将光陷阱结构较高精度地转移至红外材料层。本发明提供的方法可以在红外探测器上实现小尺寸光陷阱结构的制备。通过本发明提供的方法制备的红外探测器光陷阱结构可以增加红外探测器材料对光的吸收,实现红外探测器对可见光及红外光的探测,提高了宽谱探测器的响应度、量子效应以及探测率。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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