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专利基本信息
专利名称 一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2015104916524
专利申请日期 2015-08-12 专利类型 发明专利
申请公布号 201510491652 申请公布日 2015-08-12
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 湖南深泰虹科技有限公司
专利摘要 一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法,包括五层,中心层为铜箔,铜箔两面为碳纳米管膜,碳纳米管膜外面为树脂层,总厚度为7-14um。制备方法步骤如下:将溶解有二茂铁的正已烷溶液泵入反应炉的沸腾床上,反应炉内温度在1100-1200℃,二茂铁在高温的作用下分解出铁原子,正已烷在铁原子的催化和高温的作用下分解出碳原子,附着于铜箔的两面,然后在碳纳米管膜上覆盖树脂层,本发明保证了在较薄厚度情况下复合电磁屏蔽膜的机械性,能解决使用液晶聚酯薄膜制备时,绝缘层厚度无法做薄的问题;本发明由于采用了液晶聚酯,所以介电常数较低,结合碳纳米管高导热、高韧性、低密度的优点与金属材料密度高、易生产的性能。
专利价值评估分析
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