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专利基本信息
专利名称 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
专利状态 专利权维持 专利号（申请号） 2013100301358
专利申请日期 2013-01-27 专利类型 发明专利
申请公布号 201310030135 申请公布日 2013-01-27
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 厦门大学
专利摘要 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超陡峭、对称界面，使量子阱更为接近方势阱，增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡－补偿对层的插入，在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35％以上，克服了不同界面陡峭度的不对称性，大大提高了异质界面的质量，并使超晶格发光效率得到有效提升。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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