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专利基本信息
专利名称 一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法
专利状态 等年登印 专利号（申请号） 2018110987183
专利申请日期 2018-09-20 专利类型 发明专利
申请公布号 201811098718 申请公布日 2018-09-20
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司
专利摘要 本发明涉及一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法，通过在器件场氧化层上方生长的多晶硅层进行超高阻离子注入获得超高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内再次进行高阻离子注入获得高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内通过炉管扩散掺杂离子获得低阻多晶硅电阻，并在最后通过离子注入形成源极和漏极的同时，也注入在局部超高阻多晶硅电阻内，形成中阻多晶硅电阻，获得四种不同阻值的多晶硅电阻，从而极大便利了电路设计工程师的设计，大幅提升低阻值电阻器的电阻精度，缩减超高阻电阻器的芯片占用面积，降低芯片制作成本。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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