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专利基本信息
专利名称 一种致密HfC(Si)-HfB2复相陶瓷的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN109678511A
专利申请日期 2018-12-23 专利类型 发明专利
申请公布号 2018115768799 申请公布日 2018-12-23
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 郝巍;赵晓峰;倪娜;蔡黄越;姚尧;易妹玉;郭芳威;肖平
专利权人 上海交通大学
专利摘要 本发明涉及一种致密HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷的制备方法,将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1~10∶1~20∶1~5的比例混合,获得混合粉体,经过进行球磨混合均匀,然后进行干燥,形成均匀的混合粉体;将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结,即原位碳‑硼热还原反应‑烧结致密化一步工艺完成,制备得到致密度为94.0%~100%且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷。与现有技术相比,本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布,同时其陶瓷烧结体具有较高的致密性和断裂韧性,避免传统先制备粉体过程中难以控制成分和晶粒尺寸,后期烧结陶瓷过程中难以致密化。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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