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专利基本信息
专利名称 一种特定非晶态结构钛酸钡薄膜材料及其制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN111321383B
专利申请日期 2020-03-20 专利类型 发明专利
申请公布号 2020102015473 申请公布日 2020-03-20
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 杜丕一;顾健;王宗荣;马宁
专利权人 浙江大学
专利摘要 本发明公开了一种特定非晶态结构钛酸钡(BTO)薄膜材料及制备方法。该薄膜沉积在p型Si基板上,薄膜具有较完整的Ba‑Ti‑O网络结构但失去BaTiO3晶相的平移对称性,厚度为40nm以下,是一种优异的高介栅绝缘层薄膜材料。该薄膜通过射频磁控溅射法在自然温度下进行去反溅射沉积。首先获得沉积态非晶薄膜,后经过在空气或氮气中较低温度下二步热处理的方法制得。这种特定非晶态结构BTO/p‑Si单元可有效形成异质结,其结中的内建电场可通过栅绝缘层(BTO)网络结构中的氧空位浓度调控而调制。基于形成这种高效可调的内建电场,这种方法制备的特定非晶态结构钛酸钡薄膜材料在MOS晶体管等领域将有巨大的应用价值,且本发明的薄膜制备工艺较为简单,成本低廉。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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