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专利基本信息
专利名称 阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN105548267A
专利申请日期 2016-01-13 专利类型 发明专利
申请公布号 2016100251507 申请公布日 2016-01-13
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 唐超;翟文娟;窦国生;徐慧;邱少亚;刘瑞兰;戎舟;姜兵;庞宗强;黄维
专利权人 南京邮电大学
专利摘要 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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