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专利基本信息
专利名称 一种NiOOH@CuO/Cu2O复合纳米片阵列薄膜及其制备方法和应用
专利状态 - 专利号(申请号) CN106158408B
专利申请日期 2016-07-25 专利类型 发明专利
申请公布号 2016105895178 申请公布日 2016-07-25
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 舒霞;吴玉程;王岩;秦永强;崔接武;郑红梅;张勇
专利权人 合肥工业大学
专利摘要 本发明公开了一种NiOOH@CuO/Cu2O复合纳米片阵列薄膜及其制备方法和应用。首先采用阳极氧化工艺在高纯铜材表面生长垂直于基底并相互交错排列的CuO/Cu2O纳米片阵列,然后置于硝酸镍水溶液中经过水热沉积处理,在纳米片阵列上原位沉积羟基氧化镍纳米产物,获得NiOOH@CuO/Cu2O纳米复合材料。所制备的电极材料充分发挥了CuO/Cu2O纳米片阵列和NiOOH的电化学协同作用,表现出超高比电容特性和良好的循环稳定性,制备步骤简单可控,是一种有实际应用价值的超级电容电极材料。
专利价值评估分析
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