专利基本信息
| 专利名称 | 一种表面栅型静电感应晶体管 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN204632764U |
| 专利申请日期 | 2015-04-16 | 专利类型 | 实用新型专利 |
| 申请公布号 | 2015202309382 | 申请公布日 | 2015-04-16 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 杨建红;王娇;乔坚栗;闫兆文;谌文杰;杨盼 | ||
| 专利权人 | 兰州大学 | ||
| 专利摘要 | 本实用新型涉及一种表面栅型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管由:漏极、位于漏极之上的N+低阻单晶的衬底、位于N+低阻单晶的衬底之上的N-高阻外延层和位于N-高阻外延层内的相互并联的多个SIT单元并联而构成,其中的有源区采用短沟道设计。本实用新型的器件降低了栅体自身的压降,增加了栅控灵敏度,提高了器件跨导,同时栅源面积减小,降低栅源寄生电容,增大SIT工作频率。相对于现有技术,本实用新型的短沟道设计取得了彻底的***性的改进。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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