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专利基本信息
专利名称 一种表面栅型静电感应晶体管
专利状态 - 专利号(申请号) CN204632764U
专利申请日期 2015-04-16 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2015202309382 申请公布日 2015-04-16
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 杨建红;王娇;乔坚栗;闫兆文;谌文杰;杨盼
专利权人 兰州大学
专利摘要 本实用新型涉及一种表面栅型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管由:漏极、位于漏极之上的N+低阻单晶的衬底、位于N+低阻单晶的衬底之上的N-高阻外延层和位于N-高阻外延层内的相互并联的多个SIT单元并联而构成,其中的有源区采用短沟道设计。本实用新型的器件降低了栅体自身的压降,增加了栅控灵敏度,提高了器件跨导,同时栅源面积减小,降低栅源寄生电容,增大SIT工作频率。相对于现有技术,本实用新型的短沟道设计取得了彻底的***性的改进。
专利价值评估分析
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