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专利基本信息
专利名称 一种基于金/二氧化硅壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN108258058B
专利申请日期 2018-01-23 专利类型 发明专利
申请公布号 2018100612491 申请公布日 2018-01-23
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 杨尊先;郭太良;林诗敏;张玉飞;黄建华;胡海龙;周雄图;陈耿旭;徐胜;吴志铭
专利权人 福州大学
专利摘要 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层,再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。
专利价值评估分析
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