专利基本信息
| 专利名称 | 一种基于金/二氧化硅壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN108258058B |
| 专利申请日期 | 2018-01-23 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 2018100612491 | 申请公布日 | 2018-01-23 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 杨尊先;郭太良;林诗敏;张玉飞;黄建华;胡海龙;周雄图;陈耿旭;徐胜;吴志铭 | ||
| 专利权人 | 福州大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层,再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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