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专利基本信息
专利名称 一种单端操作的亚阈值存储单元电路
专利状态 - 专利号(申请号) CN202549310U
专利申请日期 2012-02-17 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2012200516666 申请公布日 2012-02-17
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 吴秀龙;柏娜;谭守标;李正平;孟坚;陈军宁;徐超;代月花;龚展立
专利权人 安徽大学
专利摘要 一种单端操作的亚阈值存储单元电路,设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1~N7,P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1~N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地,N3的栅极与行写控制信号RWR连接,N4的栅极与列写控制信号CWR连接,N2与P2组成一个反相器,其输出端连接到N2和P2的栅极,其输入端连接到P1的漏极,N5的栅极与读字线RWL连接,N5的漏极与读位线RBL连接,N6的源级与写位线WBL连接,N6的栅极与写字线WWL连接。
专利价值评估分析
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