您所在的位置: 首页 > 专利技术 > 正文
专利基本信息
专利名称 一种锑基太阳能电池用空穴传输层及其制备方法以及应用
专利状态 - 专利号(申请号) CN110556447B
专利申请日期 2019-09-16 专利类型 发明专利
申请公布号 2019108707437 申请公布日 2019-09-16
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 蒋立峰;韩文豪;陈涛;朱长飞;江国顺
专利权人 中国科学技术大学
专利摘要 本发明提供了一种锑基太阳能电池用空穴传输层,为二氧化硒薄膜。本发明提供的空穴传输层原料具有获取简单,价格低廉的优势。相较于现在通用的以2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴(Spiro‑OMeTAD)为代表的小分子空穴传输层具有水热稳定的特点。该空穴传输层制备所使用溶剂毒性低,价格低。
专利价值评估分析
相关推荐
Baidu
map