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专利基本信息
专利名称 一种碳纳米管导电真丝的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN103556453B
专利申请日期 2013-11-12 专利类型 发明专利
申请公布号 2013105591855 申请公布日 2013-11-12
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 张袁松;王蜀;刘祖兰;张光先;代方银
专利权人 西南大学
专利摘要 一种碳纳米管导电真丝的制备方法,经过真丝脱胶、碳纳米管纯化、酸氧化改性、真丝碳纳米管高温浸泡等实现。本发明利用碳纳米管作为抗静电剂,碳纳米管具有优良的金属导电性及优良的吸附性能,能均匀吸附在真丝上,制备的导电真丝导电性能优良,真丝经碳纳米管处理后,体积比电阻可达0.00816Ω.cm~0.03470Ω.cm,而未处理真丝体积比电阻为∞,因此处理后真丝导电性能有极大提高。
专利价值评估分析
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