专利基本信息
| 专利名称 | 一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN103872140B |
| 专利申请日期 | 2014-03-06 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 2014100811961 | 申请公布日 | 2014-03-06 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | ***;黄少云;徐洪起 | ||
| 专利权人 | 北京大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法,其结构为:导电沟道材料是平行于衬底的低阻纳米线;栅介质和栅电极依次沿纳米线径向包围低阻纳米线;源漏电极和栅介质、栅电极在纳米线侧壁处有一定间隙;源漏电极包围低阻纳米线。本发明还公开了上述平面环栅晶体管制备方法,先制备栅电极,然后再制备源漏电极;首先形成栅电极窗口,用原子层淀积方法生长栅介质层及蒸镀栅电极,然后镀金属膜形成源漏电极;低阻接触电阻为对本征或低掺杂纳米线重掺杂或者与金属合金的方法获得。该晶体管结构和制备方法能够制备出沟道较短的器件,并有效减少寄生电容,加强栅级对沟道的调控能力,从而提高器件的性能。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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