技术简介

本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底；(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理，去氧化时间为10分钟；(3)通过分子束外延的方法，在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层，生长温度为700℃；(4)将硅缓冲层降温到生长温度，该生长温度在300℃以下，然后生长GexSi1‑x合金，通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量，也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料，锗含量最高可达83％。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，其操作更简单，成本更低。