态光
当前位置:
首页
>
标签列表
>
正文
高技术项目
高层次人才
技术成果
专家
专利技术
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
找到
3
项专利技术数据。
找专利
>
基于连续变量的两步量子安全直接通信方法
专利号:CN108696321B
专利类型:发明专利
一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法
专利号:CN105022115B
专利类型:发明专利
三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法
专利号:CN111239175B
专利类型:发明专利
map