一种量子点发光二极管的制备方法和应用

本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

1. 提供基底；
2. 在所述基底表面制备第一电极；
3. 在所述第一电极表面上制备发光功能层，所述发光功能层至少包括量子点发光层；
4. 在所述发光功能层上制备第二电极，得到初始量子点发光二极管；
5. 将所述初始量子点发光二极管整体进行退火处理，得到量子点发光二极管。

该制备方法具有以下特点：

• 工艺简单；
• 可用于工业化生产；
• 制得的量子点发光二极管具有很高的发光效率；
• 具有出色的发光性能。

此外，本发明还提供了量子点发光二极管的应用。

本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：提供基底，在所述基底表面制备第一电极；在所述第一电极表面上制备发光功能层，所述发光功能层至少包括量子点发光层；在所述发光功能层上制备第二电极，得到初始量子点发光二极管；将所述初始量子点发光二极管整体进行退火处理，得到量子点发光二极管。该制备方法工艺简单，可用于工业化生产，制得的量子点发光二极管具有很高的发光效率，以及出色的发光性能。本发明还提供了量子点发光二极管的应用。