近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法

摘要： 本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法。该存储器从上至下依次包括以下结构：源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底。特别地，半导体层由ZnO制成，而浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。

本发明的工作原理是：上转换荧光纳米颗粒在近红外光的激发下发出紫外光，ZnO半导体吸收这些紫外光并产生载流子。在电场的作用下，这些载流子被捕获在浮栅层中。这一过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，从而有效增强了存储器的存储窗口，并实现了多比特存储。

此外，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器的成本。与传统晶体管型存储器相比，本发明所述的存储器不仅性能明显提高，而且成本显著降低。

摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。