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一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-07-10

专利所属地 :中国

专利号:CN201710557792.6

应用领域:其他电气机械及器材制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

摘要:

本发明公开了一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法。该方法包括以下步骤:

  1. 玻璃衬底;
  2. 依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电氧化物电极;
  3. 金属氧化物电子传输层;
  4. 钙钛矿光吸收层;
  5. 空穴传输层;
  6. 金属电极。

所述的透明导电氧化物电极是经过氟基等离子体处理实现氟掺杂的透明导电氧化物电极。所述的金属氧化物电子传输层也是经过氟基等离子体处理实现氟掺杂的金属氧化物电子传输层。

其中,氟基等离子体是利用等离子体轰击含氟元素气体而产生。

本发明具有以下优点:

  • 工艺简单;
  • 均匀性好;
  • 重复性好;
  • 钙钛矿太阳电池效率较高。
(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710557792.6
申请号 - 专利申请日期 2017-07-10
专利授权日期 2017-11-21 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 王大鹏;赵文静;王康;刘生忠
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法,包括玻璃衬底以及依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电氧化物电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金属电极,所述的透明导电氧化物电极是经过氟基等离子体处理实现氟掺杂的透明导电氧化物电极,所述的金属氧化物电子传输层是经过氟基等离子体处理实现氟掺杂的金属氧化物电子传输层,其中氟基等离子体是利用等离子体轰击含氟元素气体而产生。本发明工艺简单、均匀性好、重复性好且钙钛矿太阳电池效率较高。
成果评价分析
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