一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法

本发明涉及一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法，属于硅冶金及材料制备技术领域。

该方法首先将工业级气体或混合气通入等离子体发生器，引弧得到热等离子体。接着，将微米级含硅粉料通过载气送入热等离子高温区域，得到气态硅原子及其他气态粒子。

在急速冷却过程中，气态硅原子及其他气态粒子形成纳米颗粒尺寸为1～100nm的球形形貌纳米硅。其中，微米级含硅粉料可以是微米级硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉或碳化硅粉。

本方法采用硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉、碳化硅粉等含硅粉料作为原料。相较现有技术中以成本较高的硅烷为主要含硅原料，本发明所用原料具有成本更低、工艺安全性更高的优势。

本发明涉及一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法，属于硅冶金及材料制备技术领域。先将工业级气体或混合气通入等离子体发生器，引弧得到热等离子体，将微米级含硅粉料通过载气进入热等离子高温区域得到气态硅原子及其他气态粒子，气态硅原子及其他气态粒子在急速冷却过程中得到纳米颗粒尺寸为1～100nm球形形貌纳米硅，其中微米级含硅粉料为微米级硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉或碳化硅粉。本方法采用硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉、碳化硅粉含硅粉料作为原料，相较现有技术中以成本较高的硅烷为主要含硅原料，本发明所用原料成本更低、工艺安全性更高等优势。