晶片高精度研磨和抛光新技术

该项成果主要用于晶片高精密加工。

其原理是从弹性力学接触理论出发，建立研磨和抛光的接触力学模型，采用数值分析的方法获得了研磨和抛光的压力场分布形态，实现晶片的高精密加工。

主要研究内容涉及研磨和抛光过程中研磨盘（抛光垫）与晶片接触区域的压强分布和速度场分布，并建立了晶片均衡式材料去除的工艺方法。

该项技术解决了晶片大批量生产中提高平面度和保证材料均匀一致去除的关键难题，建立了研磨和抛光的接触力学模型和压力场的分布形态，提出并设计了均衡压力场的工艺方案和工艺装置。

编号：23924921、24513593

该项成果主要用于晶片高精密加工。其原理是从弹性力学接触理论出发，建立研磨和抛光的接触力学模型，采用数值分析的方法获得了研磨和抛光的压力场分布形态，实现晶片的高精密加工。主要研究内容涉及研磨和抛光过程中研磨盘(抛光垫)与晶片接触区域的压强分布和速度场分布，并建立了晶片均衡式材料去除的工艺方法。该项技术解决了晶片大批量生产中提高平面度和保证材料均匀一致去除的关键难题，建立了研磨和抛光的接触力学模型和压力场的分布形态，提出并设计了均衡压力场的工艺方案和工艺装置。23924921\24513593\