一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法

本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：

步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数、间距与金字塔形貌之间的关系；

步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；

步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；

步骤4：在图形化蓝宝石衬底上生长金字塔阵列。

这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。

本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO₂孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。