一种非挥发性阻变存储器有源集成结构

摘要：

本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。该结构包括以下部分：

1. SrTiO3衬底；
2. 设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜；
3. 设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，该电极作为源极S和位线；
4. 在LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极；
5. 作为板线的第三金属电极。

在SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型具有以下特点：

1. 将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备；
2. LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质；
3. 可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。

摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。