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一种碳化硅粉体的无钯活化方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2014-12-24

专利所属地 :中国

专利号:CN201410815056.2

应用领域:生物基材料制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种碳化硅粉体的无钯活化方法,包括以下步骤:

  1. 碳化硅粉体原料的预处理:

    • 利用有机溶剂清洗碳化硅粉体表面的有机附着物;
    • 利用无机酸溶液和/或碱溶液清洗碳化硅粉体表面的无机附着物;
  2. 碳化硅粉体的活化:

    • 将清洗后的碳化硅粉体加入到含铁盐的有机溶剂体系中;
    • 然后向其中加入还原剂使碳化硅粉体活化;
  3. 分离活化的碳化硅粉体,进行化学镀处理。

本发明的活化方法实现了SiC粉体的无钯活化,活化液性能稳定,降低了生产成本,避免了污染。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种碳化硅粉体的无钯活化方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201410815056.2
申请号 - 专利申请日期 2014-12-24
专利授权日期 2017-02-22 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 邹忠利;耿桂宏;马金福;马宝东;杨世明
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种碳化硅粉体的无钯活化方法,包括下述步骤:1)碳化硅粉体原料的预处理:利用有机溶剂清洗碳化硅粉体表面的有机附着物,利用无机酸溶液和/或碱溶液清洗碳化硅粉体表面的无机附着物;2)碳化硅粉体的活化:将清洗后的碳化硅粉体加入到含铁盐的有机溶剂体系中,然后向其中加入还原剂使碳化硅粉体活化;3)分离活化的碳化硅粉体,进行化学镀处理。本发明的活化方法实现了SiC粉体的无钯活化,活化液性能稳定,降低了生产成本,避免了污染。
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