本发明公开了一种碳化硅粉体的无钯活化方法,包括以下步骤:
碳化硅粉体原料的预处理:
碳化硅粉体的活化:
分离活化的碳化硅粉体,进行化学镀处理。
本发明的活化方法实现了SiC粉体的无钯活化,活化液性能稳定,降低了生产成本,避免了污染。
| 专利名称 | 一种碳化硅粉体的无钯活化方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201410815056.2 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2014-12-24 |
| 专利授权日期 | 2017-02-22 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 邹忠利;耿桂宏;马金福;马宝东;杨世明 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种碳化硅粉体的无钯活化方法,包括下述步骤:1)碳化硅粉体原料的预处理:利用有机溶剂清洗碳化硅粉体表面的有机附着物,利用无机酸溶液和/或碱溶液清洗碳化硅粉体表面的无机附着物;2)碳化硅粉体的活化:将清洗后的碳化硅粉体加入到含铁盐的有机溶剂体系中,然后向其中加入还原剂使碳化硅粉体活化;3)分离活化的碳化硅粉体,进行化学镀处理。本发明的活化方法实现了SiC粉体的无钯活化,活化液性能稳定,降低了生产成本,避免了污染。 | ||