快速开关功率绝缘栅半导体器件

摘要： 一种绝缘栅半导体器件（30），包括栅极（34）、源极端子（36）、漏极端子（38）和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容（Cfiss）和该器件截止时的输入电容（Ciiss）之间的比值小于2，并且优选地基本上等于1。在本发明的一个实施方式中，这是通过栅极处的有效厚度dins小于最小厚度的绝缘层（32）来实现的。

摘要： 一种绝缘栅半导体器件（30），包含以下组件：栅极（34）、源极端子（36）、漏极端子（38）以及栅极处的可变输入电容。该器件在导通状态下的输入电容（Cfiss）与截止状态下的输入电容（Ciiss）之比小于2，且优选地接近1。在一个具体实施例中，此特性通过栅极处有效厚度dins小于最小绝缘层（32）的厚度来实现。

摘要：一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2，并且优选地基本上等于1。在本发明的一个实施方式中，这是通过栅极处的有效厚度dins小于最小厚度的绝缘层(32)来实现的。