摘要:
本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法。该方法利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,并在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现,金属钯薄膜则采用磁控溅射法实现。作为背电极的钯薄膜,通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积,形成金属钛/金叠层薄膜,作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池具有光电转换效率高、制备方法简单易行、成本低等优点,具有广泛的运用前景。
| 专利名称 | 一种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池及其制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201510677976.7 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2015-10-20 |
| 专利授权日期 | 2017-04-12 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 曾祥斌;文杨阳;文西兴;廖武刚;王文照;徐素娥;李寒剑;郭富城 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法,利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现,金属钯薄膜采用磁控溅射法实现,钯薄膜作为背电极,金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高,制备方法简单易行,成本低,具有广泛应用前景。 | ||