当前位置: 首页 > 科技成果列表 > 科技成果详细

一种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池及其制备方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2015-10-20

专利所属地 :中国

专利号:CN201510677976.7

应用领域:其他电气机械及器材制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

了解与分析本科技成果,可查看成果概况并使用以下技术转移数智化应用工具:
成果概况
简介

摘要:

本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法。该方法利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,并在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现,金属钯薄膜则采用磁控溅射法实现。作为背电极的钯薄膜,通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积,形成金属钛/金叠层薄膜,作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池具有光电转换效率高、制备方法简单易行、成本低等优点,具有广泛的运用前景。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201510677976.7
申请号 - 专利申请日期 2015-10-20
专利授权日期 2017-04-12 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 曾祥斌;文杨阳;文西兴;廖武刚;王文照;徐素娥;李寒剑;郭富城
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法,利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现,金属钯薄膜采用磁控溅射法实现,钯薄膜作为背电极,金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高,制备方法简单易行,成本低,具有广泛应用前景。
成果评价分析
技术应用分析
服务案例
Baidu
map