本发明涉及一种镁合金掺杂SiC颗粒的增强方法(专利号:201210236226.2)。该方法针对镁合金模量低、强度低、易磨损、耐高温性能差、热膨胀系数高的问题,通过在熔炼镁合金块过程中掺杂细碳化硅和粗碳化硅颗粒,随后进行浇铸、加压和热挤压成型,实现了对镁合金性能的显著提升。
具体来说,该方法的实施效果如下:
此方法工艺先进新颖,数据准确翔实,增强效果显著,是十分理想的镁合金掺杂SiC颗粒的增强方法。
| 专利名称 | 一种镁合金掺杂SiC颗粒的增强方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 201210236226.2 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2012-07-10 |
| 专利授权日期 | 2014-07-16 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 邓坤坤;王晓军;吴昆 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种镁合金掺杂SiC颗粒的增强方法,是针对镁合金模量低、强度低、易磨损、耐高温性能差、热膨胀系数高的情况,采用在熔炼镁合金块过程中掺杂细碳化硅和粗碳化硅颗粒,然后进行浇铸、加压和热挤压成型,大幅度提高镁合金的屈服强度、硬度和耐磨性能,使屈服强度达328MPa±2MPa,硬度达120HV±5HV,耐磨性提高了80%,此方法工艺先进新颖,数据准确翔实,增强效果好,是十分理想的镁合金掺杂SiC颗粒的增强方法。 | ||