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简介
摘要：
本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。
本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。
本申请的晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。
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原文)
技术标签
专利基本信息
| 专利名称 | 一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号（申请号） | CN201710404219.1 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2017-06-01 |
| 专利授权日期 | 2017-11-10 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 黄一枝;张浩;程文旦;柴国良 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。本申请的晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。 | ||
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