三维高分辨电阻率勘探及直接成像技术

用直流电阻率法的单极-偶极装置在全测区形成相互交错的正交观测系统； 应用该三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法，可以克服现有二维高分辨电阻率勘探方法由于旁侧效应引起的洞道定位不准，和洞道形状不确定的问题。 较一般的三维高密度电阻率勘探，该方法对地下洞道的敏感性更高，真正实现了对地下分析分辨单元的多次覆盖测量。

性能指标： - 具有较强的抗干扰和剔除静态偏移的能力； - 易于实现测区的滚动测量和无缝衔接； - 三维直接成像方法快速、有效，无不易收敛的问题。

该方法可以获得更精确的地下洞道的位置、大小和形状的信息，对于研究浅层精细地质结构有重要意义。

适用范围、市场前景： - 该项成果申报的专利已经授权。 - 发明专利【授权】三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法。 专利号：ZL 2008 1 0022181。 授权公告号：CN 101334484 B

项目成果可以技术转让形式供地质勘探仪器制造部门新仪器研制方案，或者勘探部门按照技术描述直接应用。

用直流电阻率法的单极-偶极装置在全测区形成相互交错的正交观测系统；应用该三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法可以克服现有二维高分辨电阻率勘探方法由于旁侧效应引起的洞道定位不准，和洞道形状不确定的问题。较一般的三维高密度电阻率勘探对地下洞道的敏感性高，真正实现了对地下分析分辨单元的多次覆盖测量。

性能指标

具有较强的抗干扰和剔除静态偏移的能力，易于实现测区的滚动测量和无缝衔接。三维直接成像方法快速、有效，无不易收敛的问题。该方法可以获得更精确的地下洞道的位置、大小和形状的信息，对于研究浅层精细地质结构有重要意义。

适用范围、市场前景

该项成果申报的专利已经授权

发明专利【授权】 三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法。 专利号ZL 2008 1 0022181。2 授权公告号 CN 101334484 B

项目成果可以技术转让形式供地质勘探仪器制造部门新仪器研制方案，或者勘探部门按照技术描述直接应用。