本实用新型提供一种半导体特性参数综合测试设备, 涉及半导体性能测试领域, 包括光源、光学探测系统、电学系统、磁学系统以及控制系统。 所述光学探测系统、电学系统、磁学系统均可通过通讯接口连接至控制系统, 所述光学探测系统、电学系统、磁学系统任意两者之间可通过控制系统实现切换。
本实用新型的积极效果在于: 虽然将独立模块有机结合到了一起, 不仅能独立进行测试, 还能进行耦合测试, 从而大大拓展了测试的模式和能力。
| 专利名称 | 一种半导体特性参数综合测试设备 | ||
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| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 201220524442.2 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2012-10-15 |
| 专利授权日期 | - | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 田飞飞;李彬;张敏;张志强;郑树楠;周桃飞;徐科 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本实用新型提供一种半导体特性参数综合测试设备,涉及半导体性能测试领域,包括光源、光学探测系统、电学系统、磁学系统以及控制系统,所述光学探测系统、电学系统、磁学系统均可通过通讯接口连接至控制系统,所述光学探测系统、电学系统、磁学系统任意两者之间可通过控制系统实现切换。本实用新型的积极效果在于虽然将独立模块有机结合到了一起,不仅能独立进行测试,还能进行耦合测试,从而大大拓展了测试的模式和能力。 | ||