摘要: 本发明公开了一种PVD氧化物涂层制备方法,尤其是一种涉及氧化物涂层制备领域的氧化物涂层制备方法。该方法提供了一种沉积率高,所制得的涂层绝缘效果好的氧化物涂层制备方法。
本发明的氧化物涂层制备方法,在采用阴极电弧离子镀进行离子沉积的同时,利用复合磁场CAE(Computer-Aided Engineering)增加弧斑密度、提高弧斑移动速度、增加弧斑径向移动幅度;利用复合磁场CAE脉冲控制技术或双极脉冲偏压技术消除绝缘体正电荷积聚产生的电场;利用复合磁场CAE将镀膜材料的离子推进到带镀膜工件附近进行反应;通过复合磁场CAE控制离子的输出能量和沉积温度来控制绝缘氧化物涂层生长。
采用本申请的方法,可以制得沉积率高,绝缘性能优异的氧化物薄膜。
| 专利名称 | PVD氧化物涂层制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201710305307.6 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2017-05-03 |
| 专利授权日期 | 2017-11-21 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 赵海波;梁红樱 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种PVD氧化物涂层制备方法,尤其是一种涉及氧化物涂层制备领域的氧化物涂层制备方法。本发明提供一种沉积率高,所制得的涂层绝缘效果好的氧化物涂层制备方法。本发明的氧化物涂层制备方法,在采用阴极电弧离子镀进行离子沉积的同时利用复合磁场CAE增加弧斑密度、提高弧斑移动速度、增加弧斑径向移动幅度;利用复合磁场CAE脉冲控制技术或双极脉冲偏压技术消除绝缘体正电荷积聚产生的电场;利用复合磁场CAE将镀膜材料的离子推进到带镀膜工件附近进行反应;通过复合磁场CAE控制离子的输出能量和的沉积温度来控制绝缘氧化物涂层生长,采用本申请的方法可以制得沉积率高,绝缘性能优异的氧化物薄膜。 | ||