基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件

本实用新型公开了一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，其结构包括自下而上的三个层次：衬底层、介质埋层和有源层。在有源层内部，还特别设计了叉指介质槽。

该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成。值得注意的是，这两个介质槽的高度均小于有源层的厚度。此外，下延介质槽和上延介质槽在有源层内交错设置，每两个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间保持一定的间隙。

本实用新型通过在功率器件的半导体有源层和介质埋层之间设置多个叉指介质槽，有效提高了器件的横向和纵向耐压能力。同时，这一设计显著改善了器件的阻断特性。

本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。

本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。