选择性还原氧化石墨烯材料及其制备方法 属纳米科技领域。
本发明具体涉及一种在紫外光辐照下, 位阻胺类光稳定剂催化法制备可溶性还原石墨烯材料的技术。
本发明提供的位阻胺类光稳定剂催化还原法具有: (1) 基团选择性高,能够选择去除羧基和羰基; (2) 产物溶解性好; (3) 位阻胺催化剂属于无毒、无金属; (4) 位阻胺添加剂具有分散石墨烯的能力,也可以去除; (5) 操作方法简单及绿色环保等特点。
该技术较好地弥补了传统氧化石墨烯材料还原方式剧毒、高能耗(高温)及还原过程不可控的不足, 有望成为石墨烯材料化学工业生产的重要步骤, 在石墨烯基光电材料、石墨烯基有机结构材料及有机光电功能器件中有着潜在应用, 特别是应用于石墨烯基光电材料。
| 专利名称 | 一种位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201110191111.1 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2011-07-08 |
| 专利授权日期 | 2012-01-25 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 黄维;解令海;赵飞;艾伟;刘举庆;仪明东;张广维 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 选择性还原氧化石墨烯材料及其制备方法属纳米科技领域,本发明具体涉及一种在紫外光辐照下,位阻胺类光稳定剂催化法制备可溶性还原石墨烯材料的技术。本发明提供的位阻胺类光稳定剂催化还原法具有:(1)基团选择性高,能够选择去除羧基和羰基;(2)产物溶解性好;(3)位阻胺催化剂属于无毒、无金属;(4)位阻胺添加剂具有分散石墨烯的能力,也可以去除;(5)操作方法简单及绿色环保等特点。该技术较好地弥补了传统氧化石墨烯材料还原方式剧毒,高能耗(高温)及还原过程不可控的不足,有望成为石墨烯材料化学工业生产的重要步骤,在石墨烯基光电材料、石墨烯基有机结构材料及有机光电功能器件中有着潜在应用,特别是应用于石墨烯基光电材料。 | ||