一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法

本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法。首先，采用lift-off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面。接着，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层。然后，在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作。

对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道。采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应。电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命。

多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开关的寿命。通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。

本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。