一种具有高K绝缘区的横向功率器件

本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件。该器件的特点是在功率器件的漂移区内部引入了具有高介电常数的绝缘柱区。这些高K绝缘区与N型柱区交替排列，且绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。

这种具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用。通过增大绝缘柱区的介电常数，可以优化漂移区的表面电场分布，以及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。

采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管（LDMOS）、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）具有以下优点：

• 击穿电压高
• 导通电阻低
• 工艺简单
• 成本廉价

综上所述，本发明通过优化功率器件的结构，显著提升了器件的性能和成本效益。

本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。