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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-06-06

专利所属地 :中国

专利号:CN201710416513.4

应用领域:专用化学产品制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法,采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。

本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用,将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。

本发明通过化学腐蚀的引入,一方面消除了金属Ta表面的富氧层,从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心,减少了光生载流子表面复合;另一方面,腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加,从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积,增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。

本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率,Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。

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专利基本信息
专利名称 一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710416513.4
申请号 - 专利申请日期 2017-06-06
专利授权日期 2017-10-20 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 李明雪;李艳;夏往所;韩奎;王洪涛
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法,采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用,将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层,从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心,减少了光生载流子表面复合;另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加,从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积,增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率,Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
成果评价分析
技术应用分析
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