一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法

一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括以下结构： - 底电极 - 顶电极 - 电阻转变层（掺杂氧化钒薄膜）

其中，电阻转变层位于底电极和顶电极之间，由以下多层结构组成： - 第一层氧化钒薄膜 - 掺杂金属薄膜 - 第二层氧化钒薄膜

掺杂金属薄膜置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间，形成类似三明治的结构。

本发明的优点包括： - 能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。 - 通过掺杂金属薄膜，氧化钒阻变材料在施加电压时，薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道。 - 大幅提升电阻转变的稳定性。 - 消除了Forming过程。

一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。