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一种电化学制备氢氧化钴-石墨烯复合薄膜的方法

技术类型:非专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让

应用领域:专用化学产品制造

技术领域:新材料

交易价格:50.00~50.00万专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

一种电化学制备氢氧化钴-石墨烯复合薄膜的方法

成果简介: 本发明提供了一种利用电化学方法制备氢氧化钴镍-石墨烯薄膜的方法,属于纳米材料技术领域。所述金属氢氧化物修饰的石墨烯薄膜可用来开发柔性的纳米电化学传感器、超级电容器以及光电器件。本发明的制备方法是在含有微量CoSO4的Na2SO4溶液中,在一定的电压范围内,一步实现电化学还原氧化石墨烯薄膜以及电沉积氢氧化钴。本发明所提供的方法不添加任何稳定剂或分散剂,无需采用硼氢化钠、水合肼等化学还原剂,具有操作简单、环境友好等优点。氢氧化钴-石墨烯复合薄膜应用于纳米电化学传感器领域时可显著提高特定物质检测限和检测灵敏度,应用前景十分广阔。

转化条件: 能量转化与存储公司,水环境中重金属离子检测传感器单位

拟交易价格: 50万元

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