CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法

摘要：

本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，其中溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。

本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：

1. 将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；
2. 将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5%的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；
3. 将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。

使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。

摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。