一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管

本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件。

发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料。

基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结。

基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连。

基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。

在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。

与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。

本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。