本发明涉及一种铝基碳化硼中子吸收复合材料的制备方法(专利号:201110224888.3)。该方法针对中子吸收复合材料的特性,采用铝粉、硅粉、钛粉、碳化硼粉作为原料。通过粉末冶金法,具体步骤包括研磨、制坯、冷压、焙烧、热压,在真空状态下制成铝基碳化硼中子吸收复合材料。经回火定性处理,使材料的化学物理性能更加稳定。
此制备方法工艺先进合理,连续紧凑,数据翔实准确。材料配比合理,具有稳定的物理化学性能和力学性能。产物纯度高达99.5%。因此,可用此材料制备各种中子吸收零部件,是十分理想的铝基碳化硼中子吸收复合材料的制备方法。
| 专利名称 | 一种铝基碳化硼中子吸收复合材料的制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 201110224888.3 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2011-08-05 |
| 专利授权日期 | 2013-01-23 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 王文先;张鹏;吴岩;顾国兴;陈焕明;王保东 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种铝基碳化硼中子吸收复合材料的制备方法,是针对中子吸收复合材料的特性,采用铝粉、硅粉、钛粉、碳化硼粉做原料,采用粉末冶金法,通过研磨、制坯、冷压、焙烧、热压,在真空状态下制成铝基碳化硼中子吸收复合材料,经回火定性处理,使材料的化学物理性能更加稳定,此制备方法工艺先进合理,连续紧凑,数据翔实准确,此材料配比合理,具有稳定的物理化学性能和力学性能,产物纯度好,达99.5%,可用此材料制备各种中子吸收零部件,是十分理想的铝基碳化硼中子吸收复合材料的制备方法。 | ||