一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法

本发明属于新型铁基超导体领域，具体涉及一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法。

首先，将Fe、Se、Te粉末按一定的摩尔比混合研磨均匀。

其次，将研磨后的粉末在真空石英管中700℃烧结24小时，并在400℃时进行淬火处理。之后，再次研磨成粉，压制成所需靶材的大小，然后在真空石英管中700℃烧结24小时，并在400℃时进行淬火处理。

接着，调整激光器参数，对得到的靶材进行预处理后，在衬底上进行一定时间的薄膜生长。

最后，在真空中自然降温后，得到所需薄膜。

本发明利用脉冲激光沉积镀膜技术进行铁硒碲超导薄膜的生长，具有以下优点：使用方便、镀膜速度快、可制备不同成分薄膜、更容易保持靶材与衬底成分一致等。

本发明属于新型铁基超导体领域，具体涉及一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法。首先将Fe、Se、Te粉末按一定的摩尔比混合研磨均匀；其次将研磨后的粉末在真空石英管中700℃烧结24小时，400℃时进行淬火处理，再次研磨成粉，压制成所需靶材的大小后在真空石英管中700℃烧结24小时，400℃时进行淬火处理；调整激光器参数，对得到的靶材进行预处理后，在衬底上进行一定时间的薄膜生长；在真空中自然降温后得到所需薄膜。本发明利用脉冲激光沉积镀膜技术进行铁硒碲超导薄膜的生长，具有使用方便、镀膜速度快、可制备不同成分薄膜、更容易保持靶材与衬底成分一致等优点。