摘要:
本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中,所述制备方法包括以下步骤:
s11:在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属;
s12:在氮气气氛下退火,形成欧姆接触。
或者,所述制备方法包括以下步骤:
s21:对氮化镓材料氮极性面进行表面处理,采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层,通过退火进行表面修复;
s22:在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属,形成欧姆接触。
本发明使用简单的工艺,就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀,光刻图形简单,使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属,对于工艺的加工要求十分简单。
| 专利名称 | 半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201610242865.8 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-04-19 |
| 专利授权日期 | 2017-10-31 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 叶斌斌;徐真逸;张育民;王建峰;徐科 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中,所述制备方法包括:s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属;s12、在氮气气氛下退火,形成欧姆接触。或者,所述制备方法包括:s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理,采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层,通过退火进行表面修复;s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属,形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺,就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀,光刻图形简单,使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属,对于工艺的加工要求十分简单。 | ||