4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法

摘要：

本发明公开了一种用于4H-SiC基半导体中子探测器的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法。该方法采用射频磁控溅射技术，主要包含以下步骤：镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜。

镀前处理采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。

采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层具有以下优点：耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良，且制备工艺重复性强，易实现产业推广。

此外，本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果显著，具有以下优点：噪音小、探测中子效率高，以及高γ抑制性等。

摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。