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双频栅缝地电容加载阶跃阻抗的三极化半槽天线

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2016-04-08

专利所属地 :中国

专利号:CN201610218661.0

应用领域:通用仪器仪表制造

技术领域:先进制造与自动化

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

双频栅缝地电容加载阶跃阻抗的三极化半槽天线,涉及一种缝隙天线。该天线由三个单极化天线(13)组成;

每个天线(13)包括介质基板(1)、介质基板(1)上金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4);

金属地(2)上有辐射槽缝(3)和多条平行的栅缝(6);

辐射槽缝(3)一端短路,另一端开路;

辐射槽缝(3)靠近开路端部分有数个电容(7)并联跨接在辐射槽缝(3)边缘,形成低阻槽缝(8);

辐射槽缝(3)其余部分是高阻槽缝(9),微带馈线(4)一端是天线端口(10),

微带馈线(4)另一端跨过高阻槽缝(9)在边缘(11)通过短路针(12)与金属地(2)连接。

该天线多频带工作,可减少天线尺寸、交叉极化、遮挡,并改善隔离。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 双频栅缝地电容加载阶跃阻抗的三极化半槽天线
专利状态 - 专利号(申请号) CN201610218661.0
申请号 - 专利申请日期 2016-04-08
专利授权日期 2016-09-28 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 刘蕾蕾;吴振华
权利人 -
专利摘要 双频栅缝地电容加载阶跃阻抗的三极化半槽天线涉及一种缝隙天线,该天线由三个单极化天线(13)组成;每个天线(13)包括介质基板(1)、介质基板(1)上金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4);金属地(2)上有辐射槽缝(3)和多条平行的栅缝(6);辐射槽缝(3)一端短路,另一端开路;辐射槽缝(3)靠近开路端部分有数个电容(7)并联跨接在辐射槽缝(3)边缘形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)其余部分是高阻槽缝(9),微带馈线(4)一端是天线端口(10),微带馈线(4)另一端跨过高阻槽缝(9)在边缘(11)通过短路针(12)与金属地(2)连接。该天线多频带工作,可减少天线尺寸、交叉极化、遮挡和改善隔离。
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