本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法。具体步骤如下:
采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极。这些金属熔点高,能够耐受更高的工作温度。金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物,提高金属接触电极的电导率。因此,该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
| 专利名称 | 一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201710547437.0 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2017-07-06 |
| 专利授权日期 | 2017-11-21 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 张景文;谢倩;陈旭东;王明海;卜忍安;王宏兴;侯洵 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法,首先对SiC衬底表面进行抛光处理,然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层,然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层,在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层,然后通过退火处理得到欧姆接触电极,采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极,采用的金属熔点高,能够耐受更高的工作温度,金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物,提高金属接触电极的电导率,能够大大降低金属电极的接触电阻,因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。 | ||