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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-07-06

专利所属地 :中国

专利号:CN201710547437.0

应用领域:其他电气机械及器材制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法。具体步骤如下:

  1. 首先对SiC衬底表面进行抛光处理。
  2. 然后在SiC衬底表面进行光刻,得到电极图像层。
  3. 接着采用磁控溅射,在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层。
  4. 在W层上,利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层。
  5. 随后,通过退火处理,得到欧姆接触电极。

采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极。这些金属熔点高,能够耐受更高的工作温度。金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物,提高金属接触电极的电导率。因此,该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710547437.0
申请号 - 专利申请日期 2017-07-06
专利授权日期 2017-11-21 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 张景文;谢倩;陈旭东;王明海;卜忍安;王宏兴;侯洵
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法,首先对SiC衬底表面进行抛光处理,然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层,然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层,在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层,然后通过退火处理得到欧姆接触电极,采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极,采用的金属熔点高,能够耐受更高的工作温度,金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物,提高金属接触电极的电导率,能够大大降低金属电极的接触电阻,因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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