填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用

本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块，适用于单晶炉或多晶炉中的应用。具体方法如下：

将硅粉经过冷等静压或热等静压工艺，制成填装性能良好的原料硅块。这些原料硅块随后被放入单晶炉或多晶炉中，作为硅晶体生长的初始原料。

该原料硅块的抗压参数范围为0.1-50MPa，纯度在99.99％至99.9999999％之间。

该原料硅块适用于太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中，作为原料硅进行融熔。它可用于生产晶体硅棒或硅锭。

此外，该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅片的初始原料。

这种填装性能良好的原料硅块具有优异的抗氧化性能和抗压性能，不易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。

本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。