低温高速生长SiC单晶的助熔剂

本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。

本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb）。

SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。

首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融。

然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处。

旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长。

晶体生长结束后，将籽晶杆从熔体中移出。

最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物，得到高纯SiC单晶。

本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO₃+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。