光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法

光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法如下：

在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区，构成源极和漏极。基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极。探测器内设有光电子存储层。

光电子读出放大： 1. 将探测器的源极和衬底接地。 2. 漏极接合适的正电压，约为0.1V。 3. 通过调节栅极电压，约为1～3V，使MOSFET探测器工作在线性区。 4. 通过直接测量输出漏极电流，得到漏极电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式。

复位： 1. 在探测器栅极上加负偏压VG。 2. 将衬底接地。 3. 当负偏压足够高时，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫至P型半导体衬底中。 4. 克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。

光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。